![](https://gadgetshowto.com/storage/img/images_2/samsungs-new-gddr6-chips-to-feature-in-nvidia-volta-gpus.jpg)
Samsung ogłosił, że jego układy pamięci 16 Gb GDDR6 trafiły do produkcji komercyjnej. Chipy zostały ogłoszone pod koniec zeszłego roku i oczekuje się, że trafią do high-endowych procesorów graficznych do gier i stacji roboczych, które zostaną wprowadzone na rynek w tym roku.
Według Jinmana Hana, starszego wiceprezesa Samsunga ds. Planowania produktów pamięciowych i inżynierii aplikacji, dzięki nowym chipom firma ma nadzieję wzmocnić swoją obecność „Na rynkach gier i kart graficznych oraz zaspokojenie rosnącego zapotrzebowania na zaawansowaną pamięć graficzną w systemach motoryzacyjnych i sieciowych”.
Chociaż Samsung nie jest jedyną firmą, która ogłosiła chipy GDDR6, jej produkt zapowiada się szybciej niż produkty konkurencji, do których należą inne południowokoreańskie firmy technologiczne SK Hynix i Micron. Nvidia jest jednym z producentów procesorów graficznych, od których oczekuje się, że w 2018 roku wykorzystają najnowsze układy pamięci w swoich kartach graficznych nowej generacji opartych na Volcie, zastępując pośrednie układy GDDR5X, których używali jako rozwiązanie do zatrzymywania luk. Nie jest jednak od razu jasne, czy AMD będzie nadal patronować HBM2 pomimo wszystkich obaw związanych z produkcją, czy też wskoczy na modę GDDR6 jak jego rywal..
Według Samsunga, nadchodzące chipy mają prędkość 18 Gb / si są w stanie osiągnąć prędkość transferu danych do 72 GB / s (na chip) przy zaledwie 1,35 V. Z drugiej strony obecna generacja pamięci GDDR5 znaleziona w GTX 1070 ma w najlepszym przypadku tylko około 8 Mb / s, co oznacza, że chipy nowej generacji obiecują podwoić przepustowość i wyższe częstotliwości taktowania przy podobnym lub niższym napięciu.
Niektóre z innych nowych funkcji obejmują obsługę zwiększonej gęstości z 16 GB w GDDR5 i GDDR5X do 32 GB (maks.) Oraz zwiększone prędkości z 12 Gb / s do 16 Gb / s. Chipy wprowadzą również nowy proces produkcyjny, wykorzystujący technologię klasy 10-nanomterów (nm) firmy Samsung, która jest znaczącym ulepszeniem w stosunku do procesu 20-nanometrowego stosowanego w układach GDDR5.